삼성전자 업계 최소 두께 LPDDR5X D램 양산

삼성전자 업계 최소 두께 LPDDR5X D램 양산

삼성전자가 업계 최소 두께인 12나노급 LPDDR5X D램 12·16GB 패키지 양산을 시작했다

삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12·16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며 저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로, 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다.

 

삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 EMC 기술 등 최적화를 통해 이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다.

 

* 4단(Stack) 구조: LPDDR D램 칩 2개가 1단으로 총 4개의 단으로 패키지돼 있는 구조

* EMC (Epoxy Molding Compound): 수분, 열, 충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 회로 보호재

 

또한 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap) 공정의 기술력을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다.

 

* 백랩(Back-lap) 공정: 웨이퍼 뒷면을 연마해 두께를 얇게 만드는 공정

 

이번 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다.

 

일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능(Throttling)이 작동한다.

 

* 온도 제어 기능(Throttling): 기기가 지나치게 과열될 때 기기의 손상을 막고자 클럭과 전압을 강제적으로 낮추는 등의 제어를 통해 발열을 줄이는 기능

 

이번 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다.

 

삼성전자는 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 온디바이스 AI시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 예정이다.

 

삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 배용철 부사장은 고성능 온디바이스 AI의 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다며 삼성전자는 기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공하겠다고 밝혔다.

 

삼성전자는 이번 0.65mm LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체에 적기에 공급해 저전력 D램 시장을 더욱 확대해 나갈 예정이다.

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